니치아화학과 Cree사가 크로스 라이선스와 소송의 화해를 발표



도쿠시마현 아난시 및 노스캐롤라이나주 다람 2002년 11월6일 – 질화물LED및 레이저 기술의 세계적 리더인 니치아화학공업주식회사와 Cree사(Cree, Inc. Nasdaq:CREE)는 오늘, 질화갈륨계의 옵토일렉트로닉스 기술에 관한 특허 크로스 라이선스 계약과 소송의 화해에 대하여 합의했다고 발표했다. 계약에 의해, 양사간의 모든 소송을 종결시키고, 양사는 차세대 고휘도LED와 레이저 다이오드, LED조명의 기술개발에 한층 더 자원을 집중시킬 수 있게 되었다.

니치아화학공업주식회사의 제2부문장이며, 대표이사 부사장인 다자키 노보루씨는 [이번의 Cree사와의 크로스 라이선스와 소송의 화해는, 금년의 라이선스와 소송화해라고 하는 일련의 적극적인 계획의 거의 집대성에 가까운 것이다. 이것은 또한, 양사에 있어 기술, 제조, 시장개척에 주력하는 좋은 기회이다]라고 말했다.

Cree사의 사장인 CEO Chuck Swoboda씨는, [이 화해는 Cree, 니치아, 그리고 질화물 옵토일렉트로닉스 업계에 있어서 중요한 한 걸음을 내디딘 것을 의미한다. 이 합의는 니치아와 Cree가 기술 및 지적재산(IP)에 있어서 발휘해온 리더쉽을 확인하는 것이며, 청색, 녹색, 백색의 LED와 UV, 청자색 레이저 다이오드에 대하여 증대하고 있는 수요를 충족시키는 제품의 개발에, 양사가 한층 자원을 집중시키는 것이 가능해 질 것이다.]라고 말했다.

Cree사는 또한, 이번 4/4분기의 매출과 이익목표는 이전에 발표한 내용과 다름없다고도 덧붙였다. 이 화해의 결과, Cree는 제 3/4분기 부터의 소송비용의 절감으로, 일반 관리비가 많이 절감될 것이라고 보고 있다.

Cree사에 대해서

Cree사는 새로운 가능성을 가진 반도체를 만드는 탄화규소(SiC), 질화갈륨(GaN) 및 실리콘(Si)재료기술에 특장을 가진 선진적인 반도체 회사이다. 제품에는 청색, 녹색, 자외(UV) 발광다이오드, 근자외레이저, 무선주파(RF)및 마이크로파 디바이스 및 파워 스위칭 디바이스 등이 있다. 이들 제품의 용도로는 고체조명, 옵티컬 기억장치, 무선 인프라 및 파워 스위칭이 있다. 이외의 정보는 www.cree.com을 봐 주십시오.

니치아화학공업주식회사에 대해서

니치아화학은 질화인듐갈륨(InGaN)LED및 레이저 다이오드 기술의 세계적인 리더로 알려져있다. 1993년과 1994년, 니치아화학은 세계최초의 고휘도InGaN청색LED및 녹색LED를 개발했다. 1995년, 니치아화학은 세계에서 최초로 InGaN청자색 레이저 다이오드의 실온 펄스발진에 성공했다. 1996년, 니치아화학은, InGaN청색 LED를 형광체로 싼(청색발광과 변환된 황색발광을 혼합시켜 백색을 만든다)백색LED를 개발했다. 1999년에 니치아화학은 청자색 레이저 다이오드의 출하를 시작하고, 2001년에는 440nm청색 레이저 다이오드의 샘플링을 개시했다.
니치아는 1956년에 형광등의 형광체에 사용되는 인산칼슘을 제조하기위해 일본에서 설립되었다. 그 이후, 니치아는 화인 케미컬, 특히 무기 형광재료(형광체), 고휘도InGaN LED, InGaN레이저 다이오드의 제조판매 분야에서 성장해 왔다. 니치아는 펜실베니아주 마운트빌의 미국 자회사 Nichia America Corporation 등 세계에서 조업을 하고 있다. 이 밖의 정보는 www.nichia.co.jp를 봐 주십시오.