자외 (365nm)100mW LED 개발에 대해서 당사는, 이번에 파장이 365nm이며 고출력의 자외 LED의 개발에 성공했습니다. LED(발광 다이오드)는, 반도체 칩에 전류를 흘려, 칩 그 자체가 발광하는 제품이지만, 종래의 자외LED는 완충제 등의 역할을 하는 질화 갈륨층의 자기 흡수에 의하여, 380nm보다도 짧은 파장에서는 급격히 효율이 떨어지는 것이 문제가 되고 있었습니다. 거기서, 당사에서는, 질화 갈륨층을 제거 또는 처음부터 형성하지 않는 것에 의해, 단파장이며 고출력의 자외 LED의 개발에 성공했습니다. 구체적으로는, 파장은 365nm을 채용하고, 정격 직류전류500mA 때, 100mW, 전압 4.6V와 자외 LED로, 고출력인 제품을 세계에서 처음으로 공업화에 전망을 세웠습니다. 또한, 패키지에 관해서는, 종래 샘플 출하하고 있던 자외 LED(380nm)와 마찬가지로, 수지 등의 유기물을 일체 사용하지 않은 기밀 봉지형 구조를 채용하고, 1mm 스퀘어의 LED 칩을 탑재하고 있습니다. 당사는, 상기와 같이, 파장 380nm의 자외 파워 LED를 샘플 출하하고 있었지만, 거래처로부터는, 단파장 제품의 요망이 더욱더 강하고, 또한, 365nm라는 파장은, 다양한 용도 전개가 예상되는 고압 수은 등의 i 선의 파장인 것으로, 이 파장의 개발에 성공 했습니다. 본 제품의 용도로서는, 공업용 장치류, 분석 장치류, 의료용 기기 등, 특히 광촉매 용도로의 전개가 기대되고 있으며, 당사에서는, 내년 봄의 샘플 출하를 목표로 앞으로 노력해 나가겠습니다.